IXBT42N170A - IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT42N170A Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok 16
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 31,85326 USD 1112,24569 ₺ + KDV
30 + 29,76940 USD 1039,48196 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Mounting Type SMT
Package / Case TO268 (D3PAK)
Configuration Single
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Current Temperature (IC) 90°C
Rohs ROHS
Packaging TUBE
Technology BiMOSFET
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
VCE Sat 6V
Current (Ic) (25°C) 42A
Current (Ic) 21A
Voltage 1.7kV
Power Dissipation 357W
Hata Bildirin