IXBP5N160G - IGBT DIS.DIODE SINGLE 5.7A 1600V BIMOSFET TO220AB


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBP5N160G Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 5.7A 1600V BIMOSFET TO220AB
Stok 652
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 50
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 13,73666 USD 447,91677 ₺ + KDV
50 + 12,83800 USD 418,61380 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Junction Temperature (Tj) 150°C
Configuration Single
Packaging TUBE
Current (Ic) 3.5A
Technology BiMOSFET
Manufacturer IXYS
Package / Case TO220AB
Current (Ic) (25°C) 5.7A
Voltage 1.6kV
Power Dissipation 68W
Mounting Type THT
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 90°C
VCE Sat 4.9V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Hata Bildirin