MIXA300PF1200TSF - IGBT MOD.DIODE DUAL 325A 1200V XPT SIMBUS F CHASSI


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MIXA300PF1200TSF Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 325A 1200V XPT SIMBUS F CHASSI
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 3
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 202,90505 USD 6616,20596 ₺ + KDV
3 + 193,24290 USD 6301,14854 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Junction Temperature (Tj) 150°C
VCE Sat 1.8V
Power Dissipation 1.5kW
Rohs ROHS
Packaging BOX
Manufacturer IXYS
Package / Case SIMBUS F
Current (Ic) 325A
Current Temperature (IC) 80°C
Configuration Dual
Mounting Type Chassis
Technology XPT
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 465A
Voltage 1.2kV
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Hata Bildirin