MII150-12A4 - IGBT MOD.DIODE DUAL 120A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MII150-12A4 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 120A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 2
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 194,17157 USD 6714,08379 ₺ + KDV
2 + 184,92530 USD 6394,36552 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Current (Ic) 120A
Current Temperature (IC) 80°C
Voltage 1.2kV
Power Dissipation 760W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Mounting Type Chassis
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Packaging BOX
Manufacturer IXYS
Package / Case Y3-DCB
Technology SOA Capability
Current (Ic) (25°C) 180A
VCE Sat 2.2V
Configuration Dual
Hata Bildirin