* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MII145-12A3 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 110A 1200V NPT Y4-M6
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 6
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 109,70526 USD 3578,25647 ₺ + KDV
6 + 104,48120 USD 3407,86330 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Junction Temperature (Tj) 150°C
Current Temperature (IC) 80°C
VCE Sat 2.2V
Technology NPT
Rohs ROHS
Package / Case Y4-M6
Current (Ic) (25°C) 160A
Voltage 1.2kV
Configuration Dual
Packaging BOX
Manufacturer IXYS
Mounting Type Chassis
Diode With Diode
Current (Ic) 110A
Power Dissipation 700W
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Hata Bildirin