MII100-12A3 - IGBT MOD.DIODE SIX 90A 1200V NPT Y4-M5 CHASSIS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MII100-12A3 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 90A 1200V NPT Y4-M5 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 6
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 94,56639 USD 3268,52637 ₺ + KDV
6 + 88,37980 USD 3054,69754 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 560W
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Technology NPT
Configuration Six
Junction Temperature (Tj) 150°C
Manufacturer IXYS
Current (Ic) (25°C) 135A
Current (Ic) 90A
VCE Sat 2.2V
Mounting Type Chassis
Package / Case Y4-M5
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 80°C
Voltage 1.2kV
Rohs ROHS
Packaging BOX
Hata Bildirin