MIEB101H1200EH - IGBT MOD.DIODE SIX 128A 1200V H BRIDGE E3PACK


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MIEB101H1200EH Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 128A 1200V H BRIDGE E3PACK
Stok 1
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 5
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 231,10584 USD 7529,77493 ₺ + KDV
5 + 220,10080 USD 7171,21422 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Configuration Six
Technology H Bridge
Diode With Diode
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Current (Ic) 128A
VCE Sat 1.8V
Power Dissipation 630W
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Manufacturer IXYS
Package / Case E3-Pack
Current (Ic) (25°C) 183A
Mounting Type Chassis
Current Temperature (IC) 80°C
Voltage 1.2kV
Packaging BOX
Hata Bildirin