* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG1275H-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 75A 1200V H CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 80
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 192,75291 USD 6662,17665 ₺ + KDV
80 + 183,57420 USD 6344,93015 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Mounting Type Chassis
Junction Temperature (Tj) 150°C
Package / Case H Case
Diode With Diode
Voltage 1.2kV
Current (Ic) 75A
VCE Sat 1.7V
Power Dissipation 348W
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Packaging BOX
Manufacturer IXYS
Technology Power Module
Current (Ic) (25°C) 105A
Current Temperature (IC) 80°C
Configuration Six
Rohs ROHS
Hata Bildirin