* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12100S-BN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 100A 1200V S3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 100
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 102,07447 USD 3380,02251 ₺ + KDV
100 + 95,39670 USD 3158,89955 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Mounting Type Chassis
Package / Case S3 Case
Current (Ic) (25°C) 140A
Current Temperature (IC) 80°C
Power Dissipation 450W
Technology Power Module
Voltage 1.2kV
Configuration Dual
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Current (Ic) 100A
VCE Sat 1.7V
Packaging BOX
Hata Bildirin