IXYN110N120B4H1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHA


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXYN110N120B4H1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 1200V GENX4 SOT227B CHA
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Package / Case SOT227B (Minibloc)
Rohs ROHS
Manufacturer LITTELFUSE
VCE Sat 1.66V
Mounting Type Chassis
Voltage 1.2kV
Junction Temperature (Tj) 175°C
Configuration Single
Packaging TUBE
Technology GENX4
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 218A
Current (Ic) 110A
Current Temperature (IC) 110°C
Power Dissipation 830W
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin