IXGR55N120A3H1 - IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGR55N120A3H1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 37,10097 USD 1198,31297 ₺ + KDV
30 + 34,67380 USD 1119,91866 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Configuration Single
Packaging TUBE
Diode With Diode SiC
Power Dissipation 200W
Manufacturer IXYS
Current (Ic) 30A
Current Temperature (IC) 110°C
Package / Case ISOPLUS247
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Mounting Type THT
Technology GENX3
Current (Ic) (25°C) 70A
Voltage 1.2kV
VCE Sat 2.35V
Hata Bildirin