IXBT42N170-TRL - IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT42N170-TRL Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 400
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 27,18164 USD 1065,15598 ₺ + KDV
400 + 25,40340 USD 995,47287 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Junction Temperature (Tj) 150°C
Power Dissipation 360W
Technology BiMOSFET
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 80A
VCE Sat 2.8V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Voltage 1.7kV
Packaging TAPE&REEL
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Current (Ic) 42A
Current Temperature (IC) 90°C
Configuration Single
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin