IXBT14N300HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET TO268 (D3


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT14N300HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET TO268 (D3
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 56,18324 USD 1942,70966 ₺ + KDV
30 + 52,50770 USD 1815,61650 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 200W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Current (Ic) (25°C) 38A
Technology BiMOSFET
Configuration Single
Rohs ROHS
Packaging TUBE
Manufacturer IXYS
Package / Case TO268 (D3PAK)
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Mounting Type SMT
Diode With Diode
Current (Ic) 14A
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 3kV
VCE Sat 2.2V
Hata Bildirin