IXBA16N170AHV-TRL - IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBA16N170AHV-TRL Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 800
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 66,47953 USD 2605,10667 ₺ + KDV
800 + 62,13040 USD 2434,67913 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Diode With Diode
Power Dissipation 150W
Configuration Single
Current Temperature (IC) 90°C
VCE Sat 6V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TAPE&REEL
Mounting Type SMT
Voltage 1.7kV
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Additional Documentation N/A
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Package / Case TO263 (D2PAK)
Technology BiMOSFET
Current (Ic) (25°C) 16A
Current (Ic) 10A
Hata Bildirin