IXBT12N300HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 3000V TO-268 BIMOSFET


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT12N300HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 3000V TO-268 BIMOSFET
Stok 300
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 43,74716 USD 1548,51399 ₺ + KDV
30 + 40,88520 USD 1447,20934 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Voltage 3kV
Configuration Single
Additional Documentation N/A
Packaging TUBE
Mounting Type SMT
Technology BiMOSFET
Power Dissipation 160W
Rohs ROHS
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 30A
Current (Ic) 12A
Current Temperature (IC) 110°C
Junction Temperature (Tj) 150°C
Manufacturer IXYS
VCE Sat 2.8V
Package / Case TO268 (D3PAK)
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Hata Bildirin