* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG12100S-BN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 100A 1200V S3 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 100
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 107,79143 USD 4297,87048 ₺ + KDV
100 + 102,65850 USD 4093,20998 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Junction Temperature (Tj) 150°C
Manufacturer IXYS
Current Temperature (IC) 80°C
Diode With Diode
VCE Sat 1.7V
Power Dissipation 450W
Package / Case S3 Case
Configuration Dual
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Rohs ROHS
Packaging BOX
Voltage 1200V (1.2kV)
Mounting Type Chassis
Technology Power Module
Current (Ic) (25°C) 140A
Current (Ic) 100A
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin