MII100-12A3 - IGBT MOD.DIODE SIX 90A 1200V NPT Y4-M5 CHASSIS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MII100-12A3 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 90A 1200V NPT Y4-M5 CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 6
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 104,95705 USD
6 + 98,09070 USD
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Technology NPT
Additional Documentation N/A
Voltage 1200V (1.2kV)
Manufacturer IXYS
Current Temperature (IC) 80°C
VCE Sat 2.2V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Mounting Type Chassis
Package / Case Y4-M5
Power Dissipation 560W
Packaging BOX
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 135A
Current (Ic) 90A
Configuration Six
Rohs ROHS
Hata Bildirin