MII200-12A4 - IGBT MOD.DIODE DUAL 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MII200-12A4 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE DUAL 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 2
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 268,08947 USD
2 + 255,32330 USD
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Package / Case Y3-DCB
Current (Ic) (25°C) 270A
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Configuration Dual
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Mounting Type Chassis
Current (Ic) 180A
Current Temperature (IC) 80°C
Voltage 1200V (1.2kV)
Technology SOA Capability
VCE Sat 2.2V
Power Dissipation 1.13kW
Additional Documentation N/A
Packaging BOX
Hata Bildirin