MID200-12A4 - IGBT MOD.DIODE SINGLE 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSI


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MID200-12A4 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SINGLE 180A 1200V SOA Y3-DCB CHASSI
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 2
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 184,63431 USD 6458,00965 ₺ + KDV
2 + 175,84220 USD 6150,48538 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Packaging BOX
Manufacturer IXYS
Voltage 1.2kV
Diode With Diode
Configuration Single
Mounting Type Chassis
Current (Ic) (25°C) 270A
Current (Ic) 180A
Power Dissipation 1.13kW
Rohs ROHS
Package / Case Y3-DCB
Technology SOA Capability
Current Temperature (IC) 80°C
VCE Sat 2.2V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -40°C ~ +150°C
Hata Bildirin