* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MG1275H-XN2MM Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 75A 1200V H CHASSIS
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 80
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD
1 213,22854 USD
80 + 203,07480 USD
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 348W
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Current (Ic) 75A
Voltage 1200V (1.2kV)
Package / Case H Case
Diode With Diode
Junction Temperature (Tj) 150°C
VCE Sat 1.7V
Configuration Six
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Packaging BOX
Mounting Type Chassis
Technology Power Module
Current (Ic) (25°C) 105A
Current Temperature (IC) 80°C
Additional Documentation N/A
Hata Bildirin