* Ürün görselleri temsilidir.

-
Ürün Kodu MG8Q6ES1 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 8A 1200V GTR
Stok 1
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 6,81626 USD 238,41437 ₺ + KDV
10 + 6,19660 USD 216,74034 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Packaging BOX
Current Temperature (IC) 25°C
Configuration Six
VCE Sat 3V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Package / Case 45x107Case
Diode With Diode
Current (Ic) 8A
Voltage 1.2kV
Power Dissipation 50W
Manufacturer TOSHIBA
Mounting Type Chassis
Technology GTR
Current (Ic) (25°C) 8A
Rohs NON ROHS
Hata Bildirin