IXBN75N170A - IGBT MOD.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET SOT227B


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBN75N170A Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET SOT227B
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 76,68444 USD 2497,02938 ₺ + KDV
10 + 71,66770 USD 2333,67231 ₺ + KDV
Üretim Durumu EUC Needed
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Mounting Type Chassis
Power Dissipation 500W
Configuration Single
Manufacturer IXYS
Package / Case SOT227B (Minibloc)
Current (Ic) (25°C) 75A
Diode With Diode
Technology BiMOSFET
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Packaging TUBE
Current (Ic) 42A
Current Temperature (IC) 90°C
Voltage 1.7kV
VCE Sat 6V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Hata Bildirin