IXBN75N170 - IGBT MOD.DIODE SINGLE 75A 1700V BIMOSFET SOT227B


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBN75N170 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SINGLE 75A 1700V BIMOSFET SOT227B
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 10
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 127,47000 USD 4150,72913 ₺ + KDV
10 + 121,40000 USD 3953,07536 ₺ + KDV
Üretim Durumu EUC Needed
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
Current Temperature (IC) 90°C
Mounting Type Chassis
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
VCE Sat 3.1V
Power Dissipation 625W
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Technology BiMOSFET
Package / Case SOT227B (Minibloc)
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 145A
Current (Ic) 75A
Voltage 1.7kV
Rohs ROHS
Hata Bildirin