* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu MWI50-12A7 Copy
Ürün Açıklama IGBT MOD.DIODE SIX 60A 1200V SOA
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 6
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 199,32938 USD 7945,34862 ₺ + KDV
6 + 189,83750 USD 7566,99869 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current Temperature (IC) 80°C
VCE Sat 2.6V
Diode With Diode
Current (Ic) (25°C) 85A
Power Dissipation 350W
Voltage 1200V (1.2kV)
Mounting Type Chassis
Package / Case 45x107.5Case
Configuration Six
Additional Documentation N/A
Rohs ROHS
Manufacturer IXYS
Technology SOA Capability
Current (Ic) 60A
Junction Temperature (Tj) 150°C
Operating Temperature -40°C ~ +125°C
Packaging BOX
Hata Bildirin