* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXXH80N65B4H1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 80A 650V GENX4 TO247-3
Stok 2.029
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 8,86017 USD 288,99216 ₺ + KDV
30 + 8,05470 USD 262,72015 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Package / Case TO247-3
Power Dissipation 625W
Diode With Diode
Voltage 650V
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Rohs ROHS
Technology GENX4
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 2V
Manufacturer IXYS
Current (Ic) (25°C) 160A
Junction Temperature (Tj) 175°C
Mounting Type THT
Current (Ic) 80A
Configuration Single
Packaging TUBE
Hata Bildirin