* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXSQ10N60B2D1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 600V H.SPEED TO3P
Stok 223
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 2,04567 USD 66,62706 ₺ + KDV
30 + 1,85970 USD 60,57006 ₺ + KDV
Üretim Durumu Not Recommended For New Designs
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Mounting Type THT
VCE Sat 2.5V
Packaging TUBE
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Current (Ic) (25°C) 20A
Power Dissipation 100W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Package / Case TO3P
Technology High Speed
Diode With Diode
Current Temperature (IC) 110°C
Configuration Single
Manufacturer IXYS
Current (Ic) 10A
Voltage 600V
Hata Bildirin