IXGT39N60BD1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 39A 600V H.FAST TO268(D3PAK)


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGT39N60BD1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 39A 600V H.FAST TO268(D3PAK)
Stok 175
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 17,56715 USD 613,66809 ₺ + KDV
30 + 16,41790 USD 573,52158 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Current Temperature (IC) 90°C
Package / Case TO268 (D3PAK)
Diode With Diode
Power Dissipation 200W
Junction Temperature (Tj) 150°C
Rohs ROHS
Technology HiPer Fast
VCE Sat 1.7V
Configuration Single
Manufacturer IXYS
Mounting Type SMT
Current (Ic) (25°C) 76A
Current (Ic) 39A
Voltage 600V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Packaging TUBE
Hata Bildirin