IXGT30N60B2D1 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 600V H.FAST TO268(D3PAK)


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXGT30N60B2D1 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 600V H.FAST TO268(D3PAK)
Stok 215
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 4,59657 USD 149,70937 ₺ + KDV
30 + 4,17870 USD 136,09942 ₺ + KDV
Üretim Durumu Obsolete
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Manufacturer IXYS
Technology HiPer Fast
Diode With Diode
Mounting Type SMT
Power Dissipation 190W
Configuration Single
Rohs ROHS
Voltage 600V
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Package / Case TO268 (D3PAK)
Current (Ic) (25°C) 70A
Current (Ic) 30A
Packaging TUBE
Current Temperature (IC) 110°C
VCE Sat 1.8V
Junction Temperature (Tj) 150°C
Hata Bildirin