IXBT12N300HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 3000V TO-268 BIMOSFET


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT12N300HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 3000V TO-268 BIMOSFET
Stok 10
Gelecek Stok
Teslimat Süresi Saat 14:00’ a kadar vereceğiniz tüm siparişler, aynı gün sevk edilir.
* Siparişin toplam kalem sayısına göre bir sonraki gün sevkiyat hakkı saklıdır
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 43,19569 USD 1408,49901 ₺ + KDV
30 + 40,36980 USD 1316,35422 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Voltage 3kV
Rohs ROHS
Technology BiMOSFET
Mounting Type SMT
Current (Ic) (25°C) 30A
Junction Temperature (Tj) 150°C
Packaging TUBE
Package / Case TO268 (D3PAK)
VCE Sat 2.8V
Power Dissipation 160W
Manufacturer IXYS
Diode With Diode
Current (Ic) 12A
Current Temperature (IC) 110°C
Hata Bildirin