NGB8207ABNT4G - IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 365V N-CH IGNITION TO263


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu NGB8207ABNT4G Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 365V N-CH IGNITION TO263
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 800
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 1,48038 USD 51,71367 ₺ + KDV
800 + 1,34580 USD 47,01243 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Junction Temperature (Tj) 175°C
Current Temperature (IC) 25°C
Mounting Type SMT
Power Dissipation 165W
Manufacturer IXYS
Technology N-CH Ignition
Diode With Diode
Voltage 365V
Rohs ROHS
Package / Case TO263 (D2PAK)
Current (Ic) (25°C) 20A
Current (Ic) 20A
VCE Sat N/A
Configuration Single
Operating Temperature -55°C ~ +175°C
Packaging TAPE&REEL
Hata Bildirin