IXBA16N170AHV-TRL - IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBA16N170AHV-TRL Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 800
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 61,17126 USD 2139,60544 ₺ + KDV
800 + 57,16940 USD 1999,63125 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Power Dissipation 150W
Configuration Single
Mounting Type SMT
VCE Sat 6V
Rohs ROHS
Technology BiMOSFET
Manufacturer IXYS
Package / Case TO263 (D2PAK)
Current (Ic) (25°C) 16A
Voltage 1.7kV
Junction Temperature (Tj) 150°C
Diode With Diode
Current (Ic) 10A
Current Temperature (IC) 90°C
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Packaging TAPE&REEL
Hata Bildirin