IXBT20N360HV - IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 3600V BIMOSFET TO268 (D3


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBT20N360HV Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 3600V BIMOSFET TO268 (D3
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 30
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 102,48931 USD 3580,22825 ₺ + KDV
30 + 95,78440 USD 3346,00771 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Packaging TUBE
Manufacturer IXYS
Current (Ic) (25°C) 70A
VCE Sat 2.9V
Rohs ROHS
Diode With Diode
Current (Ic) 20A
Current Temperature (IC) 110°C
Voltage 3.6kV
Junction Temperature (Tj) 150°C
Mounting Type SMT
Package / Case TO268 (D3PAK)
Power Dissipation 430W
Configuration Single
Technology BiMOSFET
Hata Bildirin