IXBF32N300 - IGBT DIS.DIODE SINGLE 22A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4


* Ürün görselleri temsilidir.

Ürün Kodu IXBF32N300 Copy
Ürün Açıklama IGBT DIS.DIODE SINGLE 22A 3000V BIMOSFET ISOPLUSI4
Stok Stok mevcut değil
Gelecek Stok Yok
Teslimat Süresi Teslimat Bilgisi Sorunuz
Min. Paketleme Adedi 25
Min. Sipariş Adedi 1
Birim Fiyat
Adet Birim Fiyat USD Birim Fiyat TL   ( )
1 138,35892 USD 4831,18910 ₺ + KDV
25 + 131,77040 USD 4601,13247 ₺ + KDV
Ürün Özellikleri: Tümünü Seç :
Operating Temperature -55°C ~ +150°C
Rohs ROHS
Diode With Diode
Current (Ic) 22A
Configuration Single
Current (Ic) (25°C) 40A
Current Temperature (IC) 90°C
VCE Sat 2.8V
Power Dissipation 160W
Manufacturer IXYS
Package / Case ISOPLUS i4-PAC
Voltage 3kV
Packaging TUBE
Mounting Type THT
Junction Temperature (Tj) 150°C
Technology BiMOSFET
Hata Bildirin